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美光半導體制程技術與產(chǎn)品參數(shù)分析

2026/1/30 13:05:27     

美光科技在2026財年第一季度的2026財年第一季度運營收入為64億美元營收表現(xiàn),反映了美光半導體在存儲器市場的市場地位。美光半導體專注于DRAM、NAND和NOR技術的研發(fā)與制造。

一、制程技術參數(shù)

美光半導體的技術包括兩項核心制程技術。

1. 1γ DRAM制程技術

美光半導體的1γ制程技術參數(shù)如下。美光1γ (1-gamma) DRAM技術是一項新型制造工藝,采用前沿極紫外(EUV)光刻技術及美光下一代高K金屬柵極(HKMG)CMOS技術。密度參數(shù)為相較于1β技術,其每片晶圓的位密度可提升30%以上。

產(chǎn)品規(guī)格方面,1γ工藝的DDR5單顆容量達16Gb,可通過堆疊組成單條128GB的企業(yè)級產(chǎn)品。工作參數(shù)包括工作電壓僅1.1V,卻能實現(xiàn)9200MT/s的超高頻率,功耗較1β工藝降低20%。

2. G9 NAND技術

美光半導體G9技術的傳輸參數(shù)為美光G9 NAND支持高達3.6 GB/s的創(chuàng)紀錄NAND I/O傳輸速率。性能對比數(shù)據(jù)為相較于目前已出貨SSD所使用的快NAND接口,數(shù)據(jù)傳輸速率提升高達50%。

二、產(chǎn)品規(guī)格參數(shù)

美光半導體產(chǎn)品覆蓋DRAM和NAND閃存兩大類別。

1. DRAM產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品類型包括DDR4、DDR5、LPDDR5X(低功耗雙倍數(shù)據(jù)率內存第五代)及MRDIMM(多路復用列DIMM)。LPDDR5X規(guī)格為速率達10.7Gbps(業(yè)界領先),封裝尺寸縮小至0.61毫米(較競品輕薄6%)。

MRDIMM產(chǎn)品參數(shù)包括帶寬較傳統(tǒng)DDR5 RDIMM提升39%,延遲降低40%,容量覆蓋32GB-256GB。

2. NAND閃存產(chǎn)品參數(shù)

數(shù)據(jù)中心SSD規(guī)格中,美光9650 SSD具備優(yōu)異性能,能夠有效提升AI訓練與推理效率。該產(chǎn)品順序讀取速度可達28 GB/s,隨機讀取性能高達550萬IOPS。存儲容量方面,美光6600 ION專為AI、云場景及數(shù)據(jù)中心的可持續(xù)擴展設計,提供行業(yè)前列的大容量選擇,其中E3.S規(guī)格容量為122TB,E3.L規(guī)格容量為245TB。

車用存儲規(guī)格為美光4100AT PCIe SSD基于三層單元(TLC)3D NAND技術研發(fā),容量覆蓋128GB-512GB區(qū)間。

三、財務數(shù)據(jù)

美光半導體2026財年第一季度財務數(shù)據(jù)如下??偁I收數(shù)據(jù)為2026財年第一季度運營收入為64億美元,運營利潤率為47%。

業(yè)務板塊營收分布:DRAM業(yè)務2026財年第一季度DRAM營收創(chuàng)下108億美元的紀錄,同比增長69%,占總營收的79%;NAND業(yè)務2026財年第一季度NAND營收創(chuàng)下27億美元的紀錄,同比增長22%,占總營收的20%。

四、制造規(guī)模參數(shù)

美光半導體全球制造規(guī)模包括全球30多個主要城市設有美光辦事處、13個制造基地和13個客戶實驗室、21個設計中心、53,000名團隊成員。

中國市場布局方面,美光自2001年進入中國市場,2006年在西安成立美光半導體(西安)有限責任公司,從事內存模塊的封裝、測試和生產(chǎn)。投資數(shù)據(jù)為2023年6月,美光宣布在西安追加投資43億元人民幣,擴建封裝和測試工廠。

常見問題

Q:美光半導體的核心制程技術包括什么?

A:美光半導體核心技術包括1γ (1-gamma) DRAM技術采用前沿極紫外(EUV)光刻技術和美光G9 NAND支持高達3.6 GB/s的創(chuàng)紀錄NAND I/O傳輸速率。

Q:美光半導體2026財年第一季度營收數(shù)據(jù)是多少?

A:2026財年第一季度運營收入為64億美元,運營利潤率為47%,其中DRAM營收創(chuàng)下108億美元的紀錄,同比增長69%。

Q:美光半導體的全球制造規(guī)模參數(shù)是什么?

A:美光半導體擁有13個制造基地和13個客戶實驗室、21個設計中心、53,000名團隊成員。

Q:美光半導體1γ制程技術的參數(shù)提升數(shù)據(jù)是多少?

A:相較于1β技術,其每片晶圓的位密度可提升30%以上,功耗較1β工藝降低20%。

Q:美光半導體在中國的投資規(guī)模是多少?

A:2023年6月,美光宣布在西安追加投資43億元人民幣,擴建封裝和測試工廠。